什么是局部放電？局部放電，當(dāng)外加電壓在電氣設(shè)備中產(chǎn)生的場強(qiáng)，足以使絕緣部分區(qū)域發(fā)生放電，但在放電區(qū)域內(nèi)未形成固定放電通道的這種放電現(xiàn)象，稱為局部放電。

局部放電現(xiàn)象，主要指的是高壓電氣設(shè)備。

電力設(shè)備絕緣在足夠強(qiáng)的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質(zhì)都會有一些影響，輕微的局部放電對電力設(shè)備絕緣的影響較小，絕緣強(qiáng)度的下降較慢；而強(qiáng)烈的局部放電，則會使絕緣強(qiáng)度很快下降。這是使高壓電力設(shè)備絕緣損壞的一個(gè)重要因素。因此，設(shè)計(jì)高壓電力設(shè)備絕緣時(shí)，要考慮在長期工作電壓的作用下，不允許絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)烈的局部放電。對運(yùn)行中的設(shè)備要加強(qiáng)監(jiān)測，當(dāng)局部放電超過一定程度時(shí)，應(yīng)將設(shè)備退出運(yùn)行，進(jìn)行檢修或更換。

局部放電對高壓設(shè)備有什么影響？當(dāng)絕緣發(fā)生局部放電時(shí)就會影響絕緣壽命。每次放電，高能量電子或加速電子的沖擊，特別是長期局部放電作用都會引起多種形式的物理效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，如帶電質(zhì)點(diǎn)撞擊氣泡外壁時(shí)，就可能打斷絕緣的化學(xué)鍵而發(fā)生裂解，破壞絕緣的分子結(jié)構(gòu)，造成絕緣劣化，加速絕緣損壞過程。

局部放電有哪些特別？

1、局部放電是局部過熱，電器元件和機(jī)械元件老化的預(yù)兆；

2、局部放電趨勢是局放隨著時(shí)間的上升指數(shù)；

3、在絕緣結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生局部放電時(shí)，會伴隨產(chǎn)生電脈沖、超聲波、電磁輻射、光、化學(xué)反應(yīng)，并引起局部發(fā)熱等現(xiàn)象；

由于局部放電存在以上特點(diǎn)，故電氣設(shè)備如何避免局部放電、如何去除局部放電，從而使設(shè)備正常**運(yùn)行就成為電力設(shè)備維護(hù)人員多考慮的事情。為了去除這種潛伏性故障現(xiàn)象，目前針對伴隨局部放電而產(chǎn)生的一些電脈沖、超聲波、電磁輻射等信號而衍生出很多在線檢測局部放電現(xiàn)象的方法。

高壓局部放電檢測標(biāo)準(zhǔn)

1.計(jì)算機(jī)：工控機(jī)、256M內(nèi)存、3寸軟驅(qū)、2M電子盤、高速緩存型顯卡、通信接口、LP打印機(jī)接口、RS232接口、WINXP界面、INTER2G以上的處理器、80G硬盤、8M顯存、40倍速光驅(qū)、VGA圖卡。

2.程控濾波器：低頻帶10、20、40KHZ

高頻帶100、200、300KHZ

3.放大器：其中手動粗調(diào)放大器增益調(diào)節(jié)范圍（-40dB～60dB），

程控微調(diào)放大器增益調(diào)節(jié)范圍16檔24dB。

輸入阻抗1MΩ

輸入端子噪音小于5μV

3dB頻帶10HZ-300KHZ

各量程檔位20%標(biāo)尺-100%標(biāo)尺，線性度誤差小于10%

各量程檔位脈沖低重復(fù)率誤差小于10%

4.A/D轉(zhuǎn)換器：A/D轉(zhuǎn)換器采樣速率：0.1μs/點(diǎn)

A/D轉(zhuǎn)換器采樣精度：8位±1/2LSB

5．RAM存儲器:每路128K

6．顯示器：17寸液晶彩顯

7．打印機(jī)：24針打印機(jī)

8．HTJF-301校準(zhǔn)脈沖發(fā)生器：

輸出校準(zhǔn)脈沖電壓值5檔可調(diào)：0.5V、1V、2.5V、5V、10V

校準(zhǔn)電容值5檔可調(diào)：10pF、20pF、50pF、100pF、200pF

輸出阻抗小于100Ω、頻率1000HZ、校準(zhǔn)脈沖值誤差小于1.5%

校準(zhǔn)脈沖電壓波形上升時(shí)間小于60ns

校準(zhǔn)脈沖電壓波形衰減時(shí)間大于100μs

工作電源為可充電蓄電池，工作電壓DC12V。

9．測量通道：2個(gè)

10．工作環(huán)境：

溫度：-5℃～45℃

濕度：≤90%

海拔高度:<1000m

地震強(qiáng)度：≤7級

適合戶內(nèi)及戶外使用